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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
総合得点
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
総合得点
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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考慮すべき理由
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
43
周辺 -30% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
33
読み出し速度、GB/s
12.3
15.8
書き込み速度、GB/秒
8.1
11.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1706
2824
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
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