SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

総合得点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

相違点仕様コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

43 56

周辺 23% 低遅延

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

20.1 12.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

10.5 8.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

43 56
読み出し速度、GB/s

12.3 20.1
書き込み速度、GB/秒

8.1 10.5
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1706 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston 99U5702-094.A00G 8GB

Kingston 99U5702-094.A00G 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB

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