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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
総合得点
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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考慮すべき理由
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
43
周辺 -30% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.1
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.8
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
33
読み出し速度、GB/s
12.3
15.1
書き込み速度、GB/秒
8.1
9.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1706
2590
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
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