RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点
star star star star star
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 56
    周辺 23% 低遅延
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.7 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 18.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1706 left arrow 2235

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAMの比較

OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
メモリRAM
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
メモリRAM