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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB

総合得点
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

総合得点
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 46
    周辺 -35% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    11.6 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1854 left arrow 2978

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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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