RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

総合得点
star star star star star
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
バグを報告する
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB 考慮すべき理由
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 42
    周辺 -68% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2152 left arrow 2786

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
メモリRAM