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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 42
    周辺 -62% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.2 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 19.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2152 left arrow 3180

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メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston 9905713-001.A00G 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
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Mushkin 991586 2GB
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
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メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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