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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
総合得点
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
48
周辺 -78% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.6
11.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.8
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
48
27
読み出し速度、GB/s
11.6
13.6
書き込み速度、GB/秒
7.8
10.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2029
2418
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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