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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
総合得点
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
12.3
11.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.6
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
48
48
読み出し速度、GB/s
11.6
12.3
書き込み速度、GB/秒
7.8
14.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2029
3061
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
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