RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
バグを報告する
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 48
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    11.6 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2029 left arrow 2148

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
メモリRAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
メモリRAM