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SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB vs Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 49
    周辺 16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 8.1
    テスト平均値
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 10.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2290 left arrow 2465

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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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