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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

総合得点
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 41
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.1 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.3 left arrow 11.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2290 left arrow 2580

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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
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Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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