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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Kingston KY7N41-MIE 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

総合得点
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Kingston KY7N41-MIE 8GB

Kingston KY7N41-MIE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 33
    周辺 18% 低遅延
Kingston KY7N41-MIE 8GB 考慮すべき理由
Kingston KY7N41-MIE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 14.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    14.8 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2650 left arrow 2948

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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
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メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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SK Hynix LuoSilk-8G-1600Mhz 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston KH280C14D4/8X 8GB
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メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
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