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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
総合得点
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
総合得点
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
35
周辺 23% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
14.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
35
読み出し速度、GB/s
14.8
15.2
書き込み速度、GB/秒
9.0
10.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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2773
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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