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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
比較する
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
総合得点
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
総合得点
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
66
周辺 58% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
7.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.7
12.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
66
読み出し速度、GB/s
12.6
14.7
書き込み速度、GB/秒
8.2
7.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1822
1699
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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