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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
総合得点
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
総合得点
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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考慮すべき理由
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
41
周辺 -37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19
10.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
7.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
30
読み出し速度、GB/s
10.1
19.0
書き込み速度、GB/秒
7.1
14.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1484
3435
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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