RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 41
    周辺 -64% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.1 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 20.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 16.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1484 left arrow 4060

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAMの比較

Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
メモリRAM
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
メモリRAM