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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Kingston 9965684-005.A00G 8GB
総合得点
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
総合得点
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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考慮すべき理由
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
41
周辺 -58% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
10.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
7.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
26
読み出し速度、GB/s
10.1
14.9
書き込み速度、GB/秒
7.1
9.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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