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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

総合得点
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

総合得点
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Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Kingston XRMWRN-MIE2 16GB 考慮すべき理由
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 41
    周辺 -24% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.1 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1484 left arrow 3286

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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
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Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
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メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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