RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
バグを報告する
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 41
    周辺 -95% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.1 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 19.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1484 left arrow 3427

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAMの比較

Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
メモリRAM