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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
総合得点
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
41
周辺 -41% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.7
10.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
7.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
29
読み出し速度、GB/s
10.1
13.7
書き込み速度、GB/秒
7.1
10.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1484
2422
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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