RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
比較する
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
総合得点
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
総合得点
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
41
周辺 -58% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
10.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.9
7.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
26
読み出し速度、GB/s
10.1
14.3
書き込み速度、GB/秒
7.1
10.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1484
2744
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAMの比較
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link