RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
比較する
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
総合得点
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
29
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19
11.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
28
読み出し速度、GB/s
11.3
19.0
書き込み速度、GB/秒
5.9
14.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1605
3651
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB RAMの比較
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link