RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB

総合得点
star star star star star
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
バグを報告する
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB 考慮すべき理由
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 42
    周辺 -83% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 14
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    14.0 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2186 left arrow 2548

SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB RAMの比較

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
メモリRAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
メモリRAM