RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

総合得点
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
バグを報告する
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 42
    周辺 -91% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 14900
    周辺 1.29 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2269 left arrow 3035

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB RAMの比較

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB RAMの比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
メモリRAM