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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB

総合得点
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

総合得点
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V-GEN D4H16GS24A8 16GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 7.3
    テスト平均値
V-GEN D4H16GS24A8 16GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 42
    周辺 -83% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 14900
    周辺 1.29 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2269 left arrow 2361

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Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
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メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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