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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology HYOVF1B163BZJ 2GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs A-DATA Technology HYOVF1B163BZJ 2GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

総合得点
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A-DATA Technology HYOVF1B163BZJ 2GB

A-DATA Technology HYOVF1B163BZJ 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    65 left arrow 68
    周辺 4% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,711.1 left arrow 1,688.8
    テスト平均値
A-DATA Technology HYOVF1B163BZJ 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology HYOVF1B163BZJ 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology HYOVF1B163BZJ 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 68
  • 読み出し速度、GB/s
    4,018.7 left arrow 4,083.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,711.1 left arrow 1,688.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    513 left arrow 686

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAMの比較

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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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