RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 20.7
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 65
    周辺 -242% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.4 left arrow 1,711.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    4,018.7 left arrow 20.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,711.1 left arrow 16.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    513 left arrow 3724

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAMの比較

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
メモリRAM