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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
11.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
6400
1900
周辺 3.37% 高帯域
考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
45
65
周辺 -44% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
1,711.1
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
45
読み出し速度、GB/s
4,018.7
11.7
書き込み速度、GB/秒
1,711.1
8.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
1900
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
513
2387
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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