RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
比較する
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
総合得点
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
65
周辺 -117% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
1,711.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
30
読み出し速度、GB/s
4,018.7
15.9
書き込み速度、GB/秒
1,711.1
10.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
513
2846
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAMの比較
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link