SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

総合得点

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

総合得点

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

相違点仕様コメント

相違点

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 14.2

テスト平均値

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

考慮すべき理由
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 65

周辺 -171% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

7.3 1,711.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 6400

周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

65 24
読み出し速度、GB/s

4,018.7 14.2
書き込み速度、GB/秒

1,711.1 7.3
メモリ帯域幅、mbps

6400 17000

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

513 2124

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB