RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    66 left arrow 71
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 14.8
    テスト平均値
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 2,978.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 71
  • 読み出し速度、GB/s
    2,929.1 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,978.2 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    511 left arrow 1799

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAMの比較

OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
メモリRAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
メモリRAM