RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,978.2 left arrow 14.8
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 66
    周辺 -120% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    2,929.1 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,978.2 left arrow 14.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    511 left arrow 3606

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAMの比較

OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
メモリRAM
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
メモリRAM