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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
13.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,978.2
10.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
66
周辺 -128% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
66
29
読み出し速度、GB/s
2,929.1
13.5
書き込み速度、GB/秒
2,978.2
10.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
511
2088
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
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