SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

総合得点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

総合得点

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

相違点仕様コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

2 17

テスト平均値

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

22 66

周辺 -200% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

8.9 2,978.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 6400

周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

66 22
読み出し速度、GB/s

2,929.1 17.0
書き込み速度、GB/秒

2,978.2 8.9
メモリ帯域幅、mbps

6400 21300

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

511 2623

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB

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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

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Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB

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Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB

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G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

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Kingston 9905624-036.A00G 8GB

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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

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