RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 15.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,978.2 left arrow 13.8
    テスト平均値
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    55 left arrow 66
    周辺 -20% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 55
  • 読み出し速度、GB/s
    2,929.1 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,978.2 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    511 left arrow 2701

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAMの比較

OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
INTENSO M418039 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
メモリRAM