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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    66 left arrow 71
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 15.5
    テスト平均値
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 2,978.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 71
  • 読み出し速度、GB/s
    2,929.1 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,978.2 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    511 left arrow 1902

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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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