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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

総合得点
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 18.7
    テスト平均値
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    56 left arrow 66
    周辺 -18% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 2,978.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    2,929.1 left arrow 18.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,978.2 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    511 left arrow 2235

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Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Kingston 9905744-024.A00G 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston 9905734-062.A00G 32GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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