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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
13.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
59
周辺 -69% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
2,076.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
35
読み出し速度、GB/s
4,723.5
13.6
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
9.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
741
2468
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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