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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
比較する
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
25.6
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
59
周辺 -136% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
20.7
2,076.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
25
読み出し速度、GB/s
4,723.5
25.6
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
20.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
741
4537
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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