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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
比較する
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
18.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,076.1
14.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
59
周辺 -181% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
21
読み出し速度、GB/s
4,723.5
18.1
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
14.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
741
3087
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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