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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
18.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,076.1
15.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
59
周辺 -157% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
23
読み出し速度、GB/s
4,723.5
18.2
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
15.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
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