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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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仕様
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考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
59
周辺 -64% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.3
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.0
2,076.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
36
読み出し速度、GB/s
4,723.5
9.3
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
7.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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