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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs JUHOR JHD2666U1908JG 8GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

総合得点
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JUHOR JHD2666U1908JG 8GB

JUHOR JHD2666U1908JG 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 12.5
    テスト平均値
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB 考慮すべき理由
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 59
    周辺 -44% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 2,076.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    4,723.5 left arrow 12.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,076.1 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    741 left arrow 2417

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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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