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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
比較する
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kingston 9905702-020.A00G 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
59
80
周辺 26% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.4
2,076.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
80
読み出し速度、GB/s
4,723.5
14.3
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
7.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
741
1698
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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