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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比較する
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
10
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
47
59
周辺 -26% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.5
2,076.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
47
読み出し速度、GB/s
4,723.5
10.0
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
7.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
741
2308
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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