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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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考慮すべき理由
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
59
周辺 -119% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.7
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
6.8
2,076.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
27
読み出し速度、GB/s
4,723.5
9.7
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
6.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
741
1767
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0 ns
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