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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
比較する
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
59
94
周辺 37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.7
テスト平均値
考慮すべき理由
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.9
2,076.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
94
読み出し速度、GB/s
4,723.5
14.7
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
7.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
741
1506
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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