RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    59 left arrow 63
    周辺 6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.1
    テスト平均値
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 2,076.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 63
  • 読み出し速度、GB/s
    4,723.5 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,076.1 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    741 left arrow 1932

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB RAMの比較

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
メモリRAM