RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.3
    テスト平均値
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 62
    周辺 -68% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.9 left arrow 1,658.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    4,216.7 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,658.4 left arrow 9.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    688 left arrow 2422

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
メモリRAM